Proizvođač poluprovodnika Nexperia nedavno je najavio planove za ulaganje 200 miliona dolara (otprilike 184 miliona eura) u razvoj sljedeće generacije poluprovodničkih proizvoda sa širokim pojasom (WBGs), kao što su silicijum karbid (SiC) i galijum nitrid (GaN), i uspostavljanje proizvodne infrastrukture u svoju fabriku u Hamburgu. U međuvremenu će se povećati kapacitet proizvodnje silicijumskih (Si) dioda i tranzistora u fabrikama vafla.
Izvještava se da će Ansei Semiconductor, kako bi zadovoljio rastuću dugoročnu potražnju za visokoefikasnim energetskim poluvodičima, započeti istraživanje i proizvodnju SiC, GaN i Si tehnologija u Njemačkoj od juna 2024.
Prvi visokonaponski D-Mode GaN tranzistor i proizvodna linija SiC dioda pušten je u upotrebu u junu 2024. Sljedeća prekretnica će biti uspostavljanje 200 mm SiC MOSFET i niskonaponske GaN HEMT proizvodne linije. Ove proizvodne linije biće završene u fabrici u Hamburgu u naredne dve godine. U međuvremenu, ova investicija će također pomoći u daljnjoj automatizaciji postojeće infrastrukture tvornice u Hamburgu i proširiti kapacitet proizvodnje silicijuma postupnim prelaskom na korištenje 200 mm pločica.
Ansei Semiconductor je istakao da ova mjera u potpunosti pokazuje svoju snažnu podršku ključnim tehnologijama u oblastima elektrifikacije i digitalizacije. "SiC i GaN poluprovodnici omogućavaju aplikacijama velike snage kao što su centri podataka da rade sa odličnom efikasnošću, a takođe su i ključne komponente aplikacija za obnovljivu energiju i električnih vozila. Ove tehnologije širokog pojasa imaju ogroman potencijal i postaju sve važnije za postizanje ciljeva dekarbonizacije. "
Vrijedi napomenuti da je ova investicija još jedna važna prekretnica u stoljetnoj istoriji tvornice Ansch Semiconductor Lockstadt u Hamburgu. Izvještava se da se od osnivanja Valvo Radio ö hrenfabrik 1924. godine, tvornica kontinuirano razvijala i sada podržava oko četvrtine globalne potražnje za malim signalnim diodama i tranzistorima.